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系列学术报告第二期——郭三栋博士
报告时间：2019年9月23日下午14:30
报告地点：2号实验楼307会议室
报告题目：Ga2O3的压电性质研究和二维SnSSe的预言以及相关性质研究
报告人：郭三栋 博士
报告简介：
1、材料具有压电特性需要的必要条件是中心对称性缺失，另一个条件是半导体。从对称分析得到e-Ga2O3缺乏中心对称。我们利用mBJLDA交换关联势研究它的电子结构，得到它是半导体，并且计算的能隙和实验符合。最后我们对材料的压电性质进行了系统研究。为了确保我们结果或者方法的可靠性，同时研究了常见压电材料ZnO，GaN和AlN的压电系数，并且和相关实验对照。
2、我们预言了一种二维半导体材料SnSSe，并且分析了实验合成的可行性。接着我们研究了它的电子结构，载流子迁移率，压电特性和光学特性以及电子传输系数。计算结果表明SnSSe是一个潜在的性能良好的实验上可以合成的二维半导体材料。
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二零一九年九月二十日
