各系部、中心：

应我院及科研处邀请，西安电子科技大学冯倩教授于11月22日来我校做学术讲座，欢迎广大师生参加！报告的具体安排如下：

报告题目：超宽禁带半导体氧化镓材料与器件的研究

报告人：冯倩教授（西安电子科技大学）

报告时间：2019年11月22日（星期五），上午9:00

报告地点：bat365正版唯一官网会议室（2号楼307）

摘 要：针对超宽禁带氧化镓材料器件，通过理论计算及仿真，对其特有的能带结构、电学特性以及光学特性展开分析；并在此基础上基于激光脉冲沉积以及雾化气相沉积等方法在蓝宝石、氧化镓以及镁铝氧等衬底上展开不同晶型的氧化镓薄膜材料外延生长与表征分析，分析生长参数对材料结晶状态、表面形貌、电学性能与光学性能的影响，并采用外延生长的氧化镓材料开展日盲紫外探测器、高压肖特基二极管与金属-氧化物-半导体电子器件的制备。

报告人简介：冯倩，教授，博士生导师,1976年12月出生，陕西西安人，分别于2000年和2004年在西安电子科技大学获得物理电子学与光电子学硕士学位和微电子学与固体电子学博士学位，同年留校任教，在西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室工作。2014年7月晋升为教授。主要研究方向为宽禁带半导体材料的外延生长与相关器件的研究。先后承担和作为主要成员参加了省部级以上科研项目20余项，获得国家技术发明二等奖1项目，省部级科技奖4项，获得授权国家发明专利10余项，受理国家发明专利30余项，在国际国内核心刊物上发表学术论文30余篇，其中SCI收录20余篇。目前的研究重点为超宽禁带半导体氧化镓材料与器件的仿真、制备及表征。

bat365正版唯一官网

科研处

2019年11月18日