近日，我院新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我院在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

团队负责人陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。

新型半导体器件与材料重点实验室聘请中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士为首席科学家，团队师生共30余人，拥有完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间，主要研究超宽禁带氧化镓材料与器件。团队在氧化镓材料生长、器件制备、测试表征等方面具有丰富的科研经验，承担国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、陕西省教育厅基金资助的多个研究项目，在物理学报、半导体学报、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices、Physics Letters A、Nanotechnology、Applied Surface Science、Carbon等发表研究论文100余篇，授权国家发明专利20余项。