（通讯员：赵梅链）2023年12月8日上午，我院硕士生导师谢端副教授作题为“FinFETs器件简介及退火对其性能影响的研究”学术报告，学院相关研究方向的老师、研究生和本科生参加报告会。

在报告中，谢端副教授阐述了短沟道效应对器件性能的不良影响机制。并指出，短沟道效应在微纳电子器件中表现为通道长度减小，导致阈值电压下降和漏电流增大。这一问题在现代芯片设计中显得尤为突出，成为制约器件性能的重要因素。随后，谢老师详细解释了FinFETs的鳍状结构有效减小电荷在通道中的泄漏机理，从而使得器件在小尺寸下依然能够保持相对稳定的性能。接下来，谢老师强调了对FinFETs器件的栅叠层进行退火处理的必要性，并详细介绍了退火的方法。最后，谢老师通过实验数据比较了在不同退火环境下器件的电学性能和噪声特性的变化，为退火处理在优化FinFETs器件性能方面提供了有力的支持。

报告结束后，谢端老师细致耐心回答了与会师生的问题，现场讨论氛围热烈。我院持续在集成电路设计方面开展工作，培养了一批高质量人才，产出一批有影响力的科研成果。未来，学院将继续举办集成电路方面的讲座，不断提高我院集成电路专业方向学生的专业素养，为服务地方经济建设培养高素质人才。