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系列学术报告2021年第14期——王少青博士

报告时间：2021年11月12日下午2:30分

报告地点：2号实验楼307会议室

报告题目：第三代半导体材料及制备工艺

报告人：王少青 博士

报告简介：

5G 通信技术、新能源汽车推广以及光电应用推动第三代半导体产业蓬勃发展。第三代半导体材料包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带 III 族氮化物、以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带 IV 族化合物以及宽禁带氧化物，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，正在成为全球半导体产业新的战略高地。

本报告将简单总结第三代半导体的应用领域和发展现状，重点阐述第三代半导体中SiC单晶生长的几种方法，并对其器件的制备工艺进行简单介绍。

欢迎广大师生前来交流！

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二零二一年十一月十日