报告时间：2021年10月22日下午14:30分

报告地点：2号实验楼307会议室

报告题目：宽禁带半导体氧化镓材料与器件的研究与展望

报告人：贾一凡 博士

报告简介：

近年来随着氧化镓晶体和外延生长技术的突破性发展，氧化镓材料及器件的研究成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。其中β相氧化镓（β-Ga₂O₃）由于其良好的热稳定性和化学稳定性，4.8 eV的禁带宽度，8 MV/cm的理论击穿场强，2×10⁷ cm/s的电子饱和速度，非常适用于高压大功率器件领域，成为超宽禁带半导体材料的代表之一。相较于当前已经实现商业化应用的宽禁带半导体氮化镓和碳化硅材料，β-Ga₂O₃的巴利加优值是氮化镓的4倍，碳化硅的10倍，因此在达到相同耐压的条件下，β-Ga₂O₃电力电子器件的导通电阻更低、功耗更小，能够极大地降低器件工作时的电能损耗，可以满足未来电力系统对电力电子器件高压低功耗的需求。

本报告将介绍国内外氧化镓材料与器件研制的相关研究进展，并对氧化镓肖特基二极管（SBD）器件制备中的关键技术——外延材料生长，欧姆接触以及肖特基接触工艺的研究展开阐述，分析工艺中各参数条件对材料及器件特性的影响。最后对氧化镓材料及器件应用的所面临的挑战和前景进行展望。

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二零二一年十月二十一日