报告时间：2021年10月22日下午14:30分

报告地点：2号实验楼307会议室

报告题目：二维氧化镓掺杂特性的模拟研究

报告人：刘祥泰 博士

报告简介：

超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）具有优异的抗电击穿性能和良好的热稳定性，且带隙值对应于日盲紫外波段，使其在功率器件、光电探测等技术领域表现出极为重要的研究和应用价值。但本征氧化镓为非层状材料，其二维体系的电子结构特性变化不同于范德华力结合的层状二维材料，因此二维氧化镓纳米层的模拟计算成为当前学术界的研究热点和前沿方向。

本报告基于第一性原理模拟方法，针对二维氧化镓的掺杂特性进行合理研究。主要内容有：(1) Mg、Si等元素掺杂单层氧化镓的形成能计算；(2)掺杂单层氧化镓的能带计算及相应电荷分布和态密度计算；(3)掺杂双层和块体氧化镓的能带计算及其与单层氧化镓掺杂特性的对比阐释。

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二零二一年十月二十一日